A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation apresentou GT20N135SRA, um IGBT discreto de 1350 V para fogão IH de mesa, panelas elétricas de arroz IH, fornos de microondas e outros eletrodomésticos que usam circuitos de ressonância de tensão. O IGBT apresenta uma tensão de saturação do coletor-emissor de 1,75 V e uma tensão direta do diodo de 1,8 V, que é aproximadamente 10% e 21% menor, respectivamente, do que o produto atual.
Tanto o IGBT quanto o diodo melhoraram as características de perda de condução em alta temperatura (T C = 100 ℃), e o novo IGBT pode ajudar a reduzir o consumo de energia do equipamento. Ele também apresenta uma resistência térmica da junção à carcaça de 0,48 ℃ / W cerca de 26% mais baixa do que a dos produtos atuais, permitindo designs térmicos mais fáceis.
Características do GT20N135SRA IGBT
- Baixa perda de condução:
VCE (sat) = 1,6 V (típico) (@ IC = 20A, VGE = 15V, Ta = 25 ℃)
VF = 1,75 V (típico) (@ IF = 20A, VGE = 0V, Ta = 25 ℃)
- Resistência térmica baixa junção-a-caixa: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (máx.)
- Suprime a corrente de curto-circuito que flui através do capacitor de ressonância quando o equipamento é ligado.
- A ampla área de operação segura
O novo IGBT pode suprimir a corrente de curto-circuito que flui pelo capacitor de ressonância quando o equipamento é ligado. O valor de pico da corrente do circuito é 129A, redução de cerca de 31% em relação ao produto atual. O GT20N135SRA torna o projeto do equipamento mais fácil quando comparado com outros produtos similares disponíveis hoje, pois sua área de operação segura é ampliada. Para obter mais detalhes sobre GT20N135SRA, visite o site oficial da Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.