Vishay Intertechnology apresentou seu novo MOSFET de canal N de quarta geração, chamado SiHH068N650E. Este Mosfet da série 600V E tem uma resistência LIGADA da fonte de drenagem muito baixa, tornando-o o dispositivo de resistência com tempos de carga de porta mais baixos da indústria. Isso fornece ao MOSFET alta eficiência, adequado para aplicações de fornecimento de energia de telecomunicações, industriais e empresariais.
O SiHH068N60E apresenta baixa resistência típica de 0,059 Ω a 10 V e carga de porta ultrabaixa até 53 nC. O FOM do dispositivo de 3,1 Ω * nC é usado para melhorar o desempenho de chaveamento, o SiHH068N60E oferece capacitâncias de saída efetivas baixas C o (er) e C o (tr) de 94 pf e 591 pF, respectivamente. Esses valores se traduzem em perdas de condução e comutação reduzidas para economizar energia.
Principais recursos do SiHH068N60E:
- MOSFET N-Channel
- Tensão da fonte de drenagem (V DS): 600V
- Tensão da fonte da porta (V GS): 30V
- Tensão de limiar de porta (V gth): 3V
- Corrente máxima de drenagem: 34A
- Resistência da fonte de drenagem (R DS): 0,068Ω
- Qg a 10V: 53nC
O MOSFET vem em um pacote PowerPAK 8 × 8 que é compatível com RoHS, livre de halogênio e projetado para resistir a transientes de sobretensão no modo avalanche. Amostras e quantidades de produção do SiHH068N60E já estão disponíveis, com prazos de entrega de 10 semanas. Você pode visitar o site para obter mais informações.