Controlador síncrono duplo 42v de alta eficiência com baixa corrente quiescente para sempre

A Renesas Electronics Corporation introduziu um novo par de controlador síncrono duplo de 42V que é projetado com a corrente quiescente mais baixa de 6µA e drivers MOSFET de fonte 2A / coletor 3A integrados que fornecem soluções de estágio de energia primária para Renesas R-Car H3 e R-Car M3 SoCs.

O controlador de sincronização dupla ISL78264 foi projetado para reduzir o sistema de bateria de 12 V para 5 V e 3,3 V para alimentar a unidade de controle eletrônico do veículo (ECU), infotainment no veículo (IVI) e sistemas de cabine digital com níveis de potência de 50W-200W. O controlador de buck e reforço de sincronização dupla ISL78263 fornece conversão DC / DC para suportar níveis de potência de 25W-100W com um pré-aumento se a tensão da bateria (VBAT) cair para 2,1 V durante um transiente de partida ou um evento de start / stop.

Características do controlador ISL78264 Dual Sync Buck

• Operação de tensão de entrada de 3,75 V a 42 V
• Buck1 Vout é fixado em 3,3 V / 5 V ou ajustável de 0,8 V a 5 V
• Buck2 Vout é ajustável de 0,8 V a 32 V
• Iq baixo de 6µA (típico) em um único canal de buck
• 25ns on-times para operação de baixo ciclo de trabalho e deslocamento de fase de 180 ° entre os canais
• Suporta transientes start-stop de arranque até 5,5 V @ 2 MHz sem a necessidade de pré-reforço

Características do ISL78263 Dual Sync Boost e Buck Controller

• Operação de tensão de entrada de 2,1 V a 42 V
• Fanfarrão fixo em 3,3V / 5V ajustável
• Mantém a saída de fanfarrão na regulação por meio de transientes de manivela a frio até 2.1V
• Aumente a frequência em 1x ou 0,2x a frequência de buck
• Modo drop-out (buck) para operação de alto ciclo de trabalho
• 25ns em tempos para operação de baixo ciclo de trabalho

Tanto o ISL78264 quanto o ISL78263 oferecem uma baixa corrente quiescente de conservação de energia (Iq) de 6 µA (típico) em um único canal de câmbio, eles também simplificam o projeto da fonte de alimentação integrando drivers FET que podem fornecer eficiência de pico de 96% líder da indústria e saída> 10A atual. A mitigação EMI embutida com uma frequência de comutação de até 2,2 MHz reduz o custo e o tamanho da filtragem / blindagem EMI.

Os dispositivos são projetados com resistores de feedback e um diodo de bloqueio de alimentação externa para aplicações que requerem suporte de arranque e espectro de propagação programável para lidar com os desafios de interferência EMI. Eles oferecem melhor proteção para sobretensão (OV), subtensão (UV), sobrecorrente, sobretemperatura e um fornecimento de bootstrap Detecção de subtensão e circuito de atualização para proteger o MOSFET do lado alto.