Em agosto, a Toshiba inicia a produção em massa e as remessas de seus MOSFETs de energia de canal N de 40 V - “ TPWR7904PB ” e “ TPW1R104PB ”, para aplicações automotivas. Eles estarão disponíveis em pacotes DSOP Advance (WF) que vêm com resfriamento de dupla face, baixa resistência e tamanho pequeno.
Os MOSFETs de potência garantem alta dissipação de calor e características de baixa resistência ao montar um chip da série U-MOS IX-H, que vem com a mais recente estrutura de trincheira, em um pacote DSOP Advance (WF). Ele permite que o calor gerado pela perda de condução seja efetivamente dissipado, melhorando a flexibilidade do projeto térmico.
Os MOSFETs da série U-MOS IX-H também oferecem ruído de chaveamento mais baixo do que a série U-MOS IV anterior da Toshiba, contribuindo para menor EMI. O pacote DSOP Advance (WF) possui uma estrutura terminal de flanco molhável.
Os dispositivos são qualificados para AEC-Q101, portanto, adequados para aplicações automotivas; e inclui recursos como pacote de resfriamento de dupla face com placa superior e dreno, melhor visibilidade de AOI devido à estrutura de flanco molhável e características de baixa resistência On e baixo ruído. Eles podem ser usados em aplicações automotivas, como direção assistida elétrica, interruptores de carga e bombas elétricas.
Especificações principais (@T a = 25 ℃)
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Número da peça |
Avaliações máximas absolutas |
Fonte de drenagem em resistência R DS (ON) máx (mΩ) |
Diodo Zener integrado entre a fonte da porta |
Series |
Pacote |
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Tensão de drenagem V DSS (V) |
Corrente de drenagem (DC) I D (A) |
@V GS＝ 6V |
@V GS = 10V |
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TPWR7904PB |
40 |
150 |
1,3 |
0,79 |
Não |
U-MOS IX-H |
DSOP Advance (WF) L |
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TPW1R104PB |
120 |
1,96 |
1,14 |
DSOP Advance (WF) M |