A Infineon Technologies apresenta uma nova geração de IGBT 1200 V TRENCHSTOP ™ IGBT6. Fabricado em wafer de 12 polegadas, a nova tecnologia IGBT foi projetada para atender aos crescentes requisitos dos clientes por alta eficiência e alta densidade de potência. Ele foi otimizado para uso em comutação rígida e topologias ressonantes operando em frequências de comutação de 15 kHz a 40 kHz, destinadas ao uso em aplicações como fonte de alimentação ininterrupta (UPS), inversores solares, carregadores de bateria e armazenamento de energia.
O 1200V TRENCHSTOP IGBT6 é lançado em duas famílias, a série S6 apresenta a melhor compensação entre uma tensão de saturação baixa de V CE (sat) de 1,85 V e baixas perdas de comutação. A série H6 é otimizada para baixas perdas de comutação. Os testes de aplicação confirmam que a substituição do IGBT Highspeed3 predecessor pela nova série IGBT6 S6 melhora a eficiência em 0,2 por cento. O coeficiente de temperatura positivo permite um paralelismo fácil e confiável do dispositivo, junto com uma boa controlabilidade de R g permite ajustar a velocidade de chaveamento do IGBT de acordo com a necessidade da aplicação.
Atualmente, as famílias IGBT6 estão em produção de volume. O portfólio de produtos compreende 15A e 40A co-embalados com um diodo de roda livre com classificação média ou total em um pacote TO-247-3. Uma densidade de corrente para um IGBT discreto é fornecida pela variante 75 A co-embalada com um diodo de rotação livre de 75 A no pacote TO-247PLUS de 3 pinos ou 4 pinos.